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为什么AMD使用7nm和Intel还在刷14nm?

发布日期:2019-08-05 08:34 浏览次数:648

对深度的解释更为复杂,小编尚未完全理解。然而,在台湾研究半导体制造业的PCEVA论坛的用户Asuka写了关于光刻的文章。
CPU,GPU,闪存和存储器晶片的制造涉及控制光以“记录”电路。
你可以通过在玻璃上想象一块绝缘胶带然后让手电筒通过光线来投射“电路”。
阻挡光的那些被称为掩模。
实际生产所需的面罩非常复杂。
面具设计过程中有许多荒谬的情况。完美的面膜可能没有完美的效果。相反,不完美的面罩可以达到预期的目的。
该设计使用多个多图案曝光,使用193 nm波长激光记录10 nm特征尺寸。各种因素影响下基于14nm节点的10nm门票迭代优化|文章信息| J-GLOBAL
7纳米良好发展的解释是英特尔计划采用波长13。
超五纳米紫外光刻(EUV)减少了对多次图案曝光的需求,简化了生产并缩短了周期时间。
根据英特尔的说法,7nm工艺由一个独立的团队处理,并且正在顺利进行。
这种说法是可能的。当然,英特尔7nm只是绘制蛋糕的舞台。您无法宣传或水解路线图。
英特尔宣布计划的7纳米版本目前仅在亚利桑那州的Fab 42上市。
尽管EUV具有许多优点,但它也面临一些主要挑战,例如过量的颗粒往往会渗透而不是反射。
在极端情况下,X射线的波长为零。
在001和10纳米之间,透射率非常强,用于拍摄X射线胶片。